Kristal fazaning to'g'ridan-to'g'ri birikmasini maksimal darajada shakllantirish uchun xom ashyo tarkibidagi SiO2 miqdori imkon qadar past bo'lishi va sinterlash harorati imkon qadar yuqori bo'lishi kerak. To'g'ridan-to'g'ri birikma darajasi SiO2 miqdorining pasayishi va sinterlash haroratining oshishi bilan ortadi. Umuman olganda, SiO2 2 foizdan kam, yonish harorati esa 1700-1800 daraja. To'g'ridan-to'g'ri bog'lanishning shakllanishi eritmaning cho'kma jarayonidir. Xrom konsentratining nozik kukuni tarkibini ko'paytirish to'g'ridan-to'g'ri bog'lovchi magniy xrom g'ishtini shakllantirishga yordam beradi. Silikat mavjudligida periklaza va periklaza o'rtasidagi bog'lanish tarkibi Cr2O3 bilan mustahkamlanadi va Al2O3 va Fe2O3 bilan kamayadi. To'g'ridan-to'g'ri bog'langan magnesiya xrom g'ishtiga Al2O3 yoki Fe2O3 qo'shilishi silikat erish nuqtasini kamaytirishi mumkin va Cr2O3 qo'shilishi erish nuqtasini yaxshilashi mumkin. Shuning uchun Cr2O3 miqdori yuqori bo'lgan xrom rudasi past Cr2O3 tarkibiga ega bo'lgan xrom rudalariga qaraganda yuqori haroratga chidamliligiga ega. Cr2O3 miqdori qanchalik yuqori bo'lsa, kristallar ichida va kristallar orasidagi shpinel qancha ko'p bo'lsa, mahsulotning kuchi shunchalik yuqori bo'ladi va shlak qarshiligi kuchliroq bo'ladi.
